#VUB145-16NOXT IXYS VUB145-16NOXT Neue Brückengleichrichterdiode 3 Phase 145A 1600V V(RRM) Silizium, VUB145-16NOXT Bilder, VUB145-16NOXT Preis, #VUB145-16NOXT Lieferant
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Hersteller-Teilenummer: VUB145-16NOXT
Eigenschaften / Vorteile:
● Gehäuse mit DCB-Keramik
● Verbesserte Temperatur- und Leistungszyklen
● Planar passivierte Chips
● Sehr niedriger Vorlauf Spannung fallen lassen
● Sehr geringer Ableitstrom
● NTC
● X2PT – Xtreme light Punch Through der 2. Generation
● Robustes X2PT-Design führt zu:
- kurz Schaltung ausgelegt für 10 μs
– sehr niedrige Gate-Gebühr
– niedrige EMI
– quadratisches RBSOA @ 2x IC
● Dünner Wafer Technologie In Kombination mit dem X2PT-Design ergeben sich ein konkurrenzfähig niedriger VCE (Sat) und ein geringer Wärmewiderstand
Eigenschaften / Vorteile:
● Gehäuse mit DCB-Keramik
● Verbesserte Temperatur- und Leistungszyklen
● Planar passivierte Chips
● Sehr niedriger Vorlauf Spannung fallen lassen
● Sehr geringer Ableitstrom
● NTC
● X2PT – Xtreme light Punch Through der 2. Generation
● Robustes X2PT-Design führt zu:
- kurz Schaltung ausgelegt für 10 μs
– sehr niedrige Gate-Gebühr
– niedrige EMI
– quadratisches RBSOA @ 2x IC
● Dünner Wafer Technologie In Kombination mit dem X2PT-Design ergeben sich ein konkurrenzfähig niedriger VCE (Sat) und ein geringer Wärmewiderstand
Maximale Bewertungen und Eigenschaften
Absolute Höchstwerte (Tc = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)
Sammler-Emitter Spannung Vces: 1600V
Gate-Emitter Spannung VGES: ± 20V
Kollektorstrom IC: 180A
Kollektorstrom Icp: 360A
Verlustleistung des Kollektors Pc: 500W
Sammler-Emitter Spannung VCES: 2500 V
Betriebsübergangstemperatur Tj: + 150 ° C.
Lagertemperatur Tstg: -40 bis + 125 ° C.
Drehmoment der Befestigungsschraube 3.5 * 1 N · m
Brückengleichrichterdiode 3 Phase 145A 1600 V V (RRM) Silizium