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MG100J2YS50 Beschreibung
MG100J2YS50 ist die beste Wahl, wenn Sie das Leistungsniveau Ihrer Hochleistungsschaltanwendungen steigern möchten. Hergestellt von Toshiba Modul Der Silizium-N-Kanal-IGBT wiegt 0.45 Pfund. mit einem Kollektorstrom von 100 A und einem Kollektor-Emitter von 600 V.
Es verfügt über spezielle Funktionen, die Ihre minderwertige Hochleistungsschaltanwendung zu einem überlegenen Gerät machen können. Eine davon ist die hohe Eingangsimpedanz. Dies bedeutet, dass Ihr Hochleistungsschaltgerät, sobald es in MG100J2YS50 integriert ist, Ihnen zweifellos eine gleichbleibend optimale Leistung garantieren kann.
Weitere einzigartige Merkmale sind der Verbesserungsmodus und die niedrige Sättigung Spannung. Der Erweiterungsmodus garantiert, dass jede Art von Operation immer noch optimal funktioniert. Andererseits zeigt eine niedrige Sättigungsspannung an, dass dieses Gerät nur dann weniger Spannung benötigt, wenn es unter Sättigung betrieben wird.
Hohe Effizienz, Kosteneffizienz und Langlebigkeit sind drei Vorteile, die Sie vom MG100J2YS50 erwarten können.
MG100J2YS50 0.45 lbs
Ziel_Anwendungen
MG100J2YS50 kann in HIGH POWER SWITCHING / MOTOR CONTROL-ANWENDUNGEN verwendet werden
100A / 600V / IGBT / 2U
Shunlongwei Inspiziert jeden MG100J2YS50 vor dem Versand, alle MG100J2YS50 mit 6 Monaten Garantie.