Mitsubishi QM30TB1-H Auf Lager

#QM30TB1-H Mitsubishi QM30TB1-H Neuer Mitsubishi IGBT MagXNUMX Transistor MODULE , QM30TB1-H Bilder, QM30TB1-H Preis, #QM30TB1-H Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/qm30tb1h.html

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Optionen

.auch mit leistungsstarkem Chopper erhältlich. Die Eigenschaften entnehmen Sie bitte dem Wechselrichter IGBT

1) Kühlkörper = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben

2) CAL = Controlled Axial Lifetime Technologie(weiche und schnelle Erholung)

.Für Diagramme des Choppers IGBT Bitte beziehen Sie sich auf QM30TB1-H

Maximale Bewertungen und Eigenschaften

Absolute Höchstwerte (Tc = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)

Sammler-Emitter Spannung Vces: 1000V

Gate-Emitter Spannung VGES: ± 20V

Kollektorstrom IC: 50A

Verlustleistung des Kollektors Pc: 400W

Kollektor-Emitter-Spannung VCES: 2500V

Betriebsübergangstemperatur Tj: + 150 ° C.

Lagertemperatur Tstg: -40 bis + 125 ° C.

Mitsubishi IGBT POWER Transistor MODULE

Shunlongwei prüfte jeden QM30TB1-H vor dem Versand, alle QM30TB1-H mit 6 Monaten Garantie.