Neues IGBT-Gerät basierend auf einem Halbleiterprozess der neuesten Generation

Aktualisierung: 21. März 2023

Die Toshiba Electronics Europe GmbH hat ein neues diskretes Gerät mit einer Nennspannung von 650 V herausgebracht IGBT für den Einsatz in PFC-Schaltkreisen in Klimaanlagen, Haushaltsgeräten, Netzteilen für Industrieanlagen und anderen Anwendungsfällen vorgesehen.

Der neue GT30J65MRB ist ein 60-A-N-Kanal-IGBT-Gerät in einem TO-3P(N)-Gehäuse, das auf der neuesten Generation des Unternehmens basiert Technologie mit optimierter interner Grabenstruktur. Dadurch werden die Schaltverluste erheblich erhöht, typischerweise 0.35 mJ beim Ausschalten (bei 175 °C) – eine Verbesserung von mindestens 40 % im Vergleich zu Geräten der vorherigen Generation. Dieser Grad der Verbesserung spiegelt sich in der Zukunft wider Spannung der eingebauten Diode, die üblicherweise nur 1.2 V misst, wodurch die Effizienz von Endgeräten verbessert wird.

Mit früherer Generation IGBTs, hätte die PFC-Stufe von Klimaanlagen eine Betriebsfrequenz unter 40 kHz. Die verbesserte Schaltdämpfung des neuen Geräts ermöglicht eine Erhöhung der Obergrenze auf 60 kHz, wodurch die Effizienz verbessert und die Größe/Gewicht der zugehörigen passiven Geräte verringert wird.

Die Nachfrage nach Schaltgeräten mit niedrigen Verlusten und verbesserten Schaltfrequenzen steigt aufgrund der zunehmenden Verwendung von Wechselrichtern in Klimaanlagen und der Anforderung, den Stromverbrauch in großen Stromversorgungen für Industrieanlagen zu senken. Das Unternehmen erweitert weiterhin seine Produktlinien, um Markttrends gerecht zu werden und zur Effizienz der Geräte beizutragen.