25 /SemiMedia/ — Nexperia hat kürzlich eine 650-V-Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) eingeführt, die für Leistungsanwendungen entwickelt wurde, die eine ultrahohe Leistung, geringe Verluste und einen hohen Wirkungsgrad erfordern. Die 10-A-650-V-SiC-Schottky-Diode ist ein Bauteil in Industriequalität, das die Herausforderungen anspruchsvoller Hochspannung angeht Spannung und Hochstromanwendungen. Dazu gehören Schaltnetzteile, AC-DC- und DC-DC-Wandler, Batterieladeinfrastruktur, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Photovoltaik-Wechselrichter und ermöglichen einen nachhaltigeren Betrieb. Beispielsweise sind Rechenzentren, die mit Netzteilen ausgestattet sind, die mit der SiC-Schottky-Diode PSC1065K von Nexperia ausgestattet sind, besser in der Lage, strenge Energieeffizienzstandards zu erfüllen, als solche, die ausschließlich siliziumbasierte Lösungen verwenden.
Der PSC1065K bietet Spitzenleistung mit temperaturunabhängigem kapazitivem Schalten und Zero-Recovery-Verhalten, was in einer hervorragenden Leistungszahl (QC x VF) gipfelt. Seine hervorragende Schaltleistung ist nahezu vollständig unabhängig von Strom- und Schaltgeschwindigkeitsschwankungen. Die kombinierte PiN-Schottky-Struktur (MPS) des PSC1065K bietet zusätzliche Vorteile, wie z. B. eine hervorragende Robustheit gegenüber Stoßströmen, die die Notwendigkeit zusätzlicher Schutzschaltkreise eliminiert. Diese Merkmale reduzieren die Systemkomplexität erheblich und ermöglichen Hardware-Designern eine höhere Effizienz mit kleineren Formfaktoren in robusten Hochleistungsanwendungen. Designer können durch den bewährten Ruf von Nexperia als Anbieter hochwertiger Produkte in einer Reihe von weiter beruhigt werden Halbleiter Technologien.
Diese SiC-Schottky-Diode ist in einem Real-2-Pin (R2P) TO-220-2 Through-Hole-Power-Kunststoffgehäuse eingekapselt. Zusätzliche Gehäuseoptionen umfassen die Oberflächenmontage (DPAK R2P und D2PAK R2P) und die Durchsteckmontage (TO-247-2) mit einer echten 2-Pin-Konfiguration, die die Zuverlässigkeit in Hochspannungsanwendungen bei Temperaturen bis zu 175 °C erhöht.
Katrin Feurle, Senior Director der Produktgruppe SiC bei Nexperia, fügt hinzu: „Wir sind stolz darauf, eine Hochleistungs-SiC-Schottky-Diode anbieten zu können, die zur Spitzengruppe der derzeit verfügbaren Lösungen gehört. In einer zunehmend energiebewussten Welt bringen wir eine größere Auswahl und Verfügbarkeit auf den Markt, da die Nachfrage nach großvolumigen, hocheffizienten Anwendungen deutlich steigt.“
Nexperia plant, sein Portfolio an SiC-Dioden kontinuierlich zu erweitern, indem Teile in Automobilqualität aufgenommen werden, die bei Spannungen von 650 V und 1200 V mit Strömen im Bereich von 6 bis 20 A arbeiten. Muster und Produktionsstückzahlen der neuen SiC-Dioden sind ab sofort verfügbar.
Weitere Informationen zu den neuen 650-V-SiC-Schottky-Dioden von Nexperia finden Sie unter: www.nexperia.com/sic_diodes
Mehr sehen : IGBT-Module | LCD-Displays | Elektronische Komponenten