#CM300DY-34A Powerex CM300DY-34A Neues Bipolar mit isoliertem Gate Transistor 300A I(C) 1700V V(BR)CES N-Kanal MODULE-7, CM300DY-34A Bilder, CM300DY-34A Preis, #CM300DY-34A Lieferant
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E-Mail: [E-Mail geschützt]
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Hersteller-Teilenummer: CM300DY-34A
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Ihs Hersteller: MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Teilepaketcode: MODUL
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-XUFM-X7
Pin-Anzahl: 7
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Mitsubishi Die elektrische
Risikorang: 1.34
Gehäuseverbindung: ISOLIERT
Kollektorstrom-Max (IC): 300 A.
Sammler-Emitter Spannung-Max: 1700 V.
Konfiguration: SERIE CONNECTED, MITTELHAHN, 2 ELEMENTE MIT EINGEBAUTER DIODE
Gate-Emitter Spannung-Max: 20 V.
JESD-30-Code: R-XUFM-X7
Anzahl der Elemente: 2
Anzahl der Terminals: 7
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Verpackungskörpermaterial: NICHT SPEZIFIZIERT
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 2900 W.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: Isolierte Gate-BIP-Transistoren
Aufputz: NR
Terminalform: NICHT SPEZIFIZIERT
Anschlussposition: OBER
Transistor Anwendung: MOTORSTEUERUNG
Transistor Element Material: SILIKON
VCEsat-Max: 2.8 V.
Bipolartransistor mit isoliertem Gate 300A I (C) 1700 V V (BR) CES N-Kanal-MODUL-7
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Ihs Hersteller: MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Teilepaketcode: MODUL
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-XUFM-X7
Pin-Anzahl: 7
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Mitsubishi Die elektrische
Risikorang: 1.34
Gehäuseverbindung: ISOLIERT
Kollektorstrom-Max (IC): 300 A.
Sammler-Emitter Spannung-Max: 1700 V.
Konfiguration: SERIE CONNECTED, MITTELHAHN, 2 ELEMENTE MIT EINGEBAUTER DIODE
Gate-Emitter Spannung-Max: 20 V.
JESD-30-Code: R-XUFM-X7
Anzahl der Elemente: 2
Anzahl der Terminals: 7
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Verpackungskörpermaterial: NICHT SPEZIFIZIERT
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Verlustleistung-Max (Abs): 2900 W.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: Isolierte Gate-BIP-Transistoren
Aufputz: NR
Terminalform: NICHT SPEZIFIZIERT
Anschlussposition: OBER
Transistor Anwendung: MOTORSTEUERUNG
Transistor Element Material: SILIKON
VCEsat-Max: 2.8 V.
Bipolartransistor mit isoliertem Gate 300A I (C) 1700 V V (BR) CES N-Kanal-MODUL-7