Powersem PSND200E-12 Auf Lager

Update: 23. November 2023 Stichworte:ChipsecoicIGBT

Powersem PSND200E-12 Auf Lager

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Email: sales@shunlongwei.com

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PSND200E/12
Eigenschaften
•Paket mit Schraubklemmen
•Isolierung Spannung 3000 V∼
•Planare glaspassivierte Chips
•Kurze Erholungszeit
•Niedrig nach vorne Spannung fallen lassen
•Kurzes Erholungsverhalten
•UL-registriert, E 148688
Anwendungen
•Induktives Erwärmen und Schmelzen
•Freilaufdiode in Umrichtern und Motorsteuerkreisen
•Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
•Ultraschallreiniger und Schweißgeräte Vorteile
•Hohe Zuverlässigkeit Schaltung Betrieb
•Niedrige Spannungsspitzen für reduzierte
Schutzschaltungen
• Geräuscharmes Schalten
• Geringe Verluste
Maximale Bewertungen und Eigenschaften
Absolute Höchstwerte (Tc = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)
Kollektor-Emitter-Spannung Vces: 1200V
Gate-Emitter-Spannung VGES: ± 20V
Kollektorstrom IC: 156A
Kollektorstrom Icp: 312A
Verlustleistung des Kollektors Pc: 1270W
Kollektor-Emitter-Spannung VCES: 3000V
Betriebsübergangstemperatur Tj: + 150 ° C.
Lagertemperatur Tstg: -40 bis + 125 ° C.
Drehmoment der Befestigungsschraube 5 N · m
Gewicht 270g
IGBT Modul Ifav 312A Vrrm 1200V