Semikron MDT1200-18E Auf Lager

#MDT1200-18E Semikron MDT1200-18E Neue Semikron IGBT Modul 1800V /840A, MDT1200-18E Bilder, MDT1200-18E Preis, #MDT1200-18E Lieferant
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MDT1200-18E

Eigenschaften

ï Hermetisches Metallgehäuse mit Keramikisolator

ï Kapselpaket für doppelseitige Kühlung

ï Flaches Design mit einseitiger Kühlung

ï Internationaler Standardfall

ï Sperr- und Sperrspannungen bis 1800 V

ï Verstärkergatter Typische Anwendungen*

ï DC-Motorsteuerung (zB für Werkzeugmaschinen)

ï Gesteuerte Gleichrichter (z. B. zur Batterieladung)

ï AC-Regler (zB zur Temperaturregelung)

ï Empfohlenes Snubber-Netzwerk zB
für VVRMS ≤ 400 V: R = 33 /32 W, C =1 µF

Maximale Bewertungen und Eigenschaften

Absolute Höchstwerte (Tc = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)

Sammler-Emitter Spannung Vces: 1200V

Gate-Emitter Spannung VGES: ± 20V

Kollektorstrom IC: 840A

Kollektorstrom Icp: 1680A

Verlustleistung des Kollektors Pc: 2250W

Sammler-Emitter Spannung VCES: 2500 V

Betriebsübergangstemperatur Tj: + 150 ° C.

Lagertemperatur Tstg: -40 bis + 125 ° C.

Drehmoment der Befestigungsschraube 3.5 * 1 N · m

Semikron IGBT Modul 1800V /840A