SEMIKRON SEMIX302GB128DS Auf Lager

#SEMIX302GB128DS SEMIKRON SEMIX302GB128DS Neuer Bipolartransistor mit isoliertem Gate 310 A I(C) 1200 V V(BR)CES N-Kanal-GEHÄUSE SEMIX 2S 15 PIN, SEMIX302GB128DS Bilder, SEMIX302GB128DS Preis, #SEMIX302GB128DS Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com

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Hersteller-Teilenummer: SEMIX302GB128DS
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Veraltet
Ihs Hersteller: SEMIKRON INTERNATIONAL
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-XUFM-X15
Pin-Anzahl: 15
Hersteller-Paketcode: CASE SEMIX 2S
Hersteller: SEMIKRON
Risikorang: 5.82
Gehäuseverbindung: ISOLIERT
Kollektorstrom-Max (IC): 310 A.
Sammler-Emitter Spannung-Max: 1200 V.
Konfiguration: SERIE ANGESCHLOSSEN, MITTE TAP, 2 ELEMENTE MIT EINGEBAUTER DIODE UND THERMISTOR
JESD-30-Code: R-XUFM-X15
JESD-609-Code: e2
Anzahl der Elemente: 2
Anzahl der Terminals: 15
Verpackungskörpermaterial: NICHT SPEZIFIZIERT
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Aufputz: NR
Terminal Finish: Zinn / Silber (Sn / Ag)
Terminalform: NICHT SPEZIFIZIERT
Anschlussposition: OBER

Bipolartransistor mit isoliertem Gate 310A I (C) 1200 V V (BR) CES N-Kanal-Gehäuse SEMIX 2S 15 PIN