#SEMIX604GB12T4S Semikron SEMIX604GB12T4S Neuer SEMiX® 4s Trench IGBT Module 1200V910~1800A, SEMIX604GB12T4S Bilder, SEMIX604GB12T4S Preis, #SEMIX604GB12T4S Lieferant
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SEMIX604GB12T4S Funktionen
• Homogenes Si
• Graben = Grabentor Technologie
• VCE (sat) mit positiver Temperatur
Koeffizient
• Hohe Kurzschlussfähigkeit
• UL erkannt, Aktenzeichen. E63532
Typische Anwendungen*
• Wechselrichterantriebe
•UPS
• elektronisch Schweiß-
Maximale Bewertungen und Eigenschaften
Absolute Höchstwerte (Tc = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)
Sammler-Emitter Spannung Vces: 1200V
Gate-Emitter Spannung VGES: ± 20V
Kollektorstrom IC: 910A
Kollektorstrom Icp: 1800A
Verlustleistung des Kollektors Pc: 180W
Kollektor-Emitter-Spannung VCES: 4000V
Betriebsübergangstemperatur Tj: + 150 ° C.
Lagertemperatur Tstg: -40 bis + 175 ° C.
Gewicht 400g
SEMiX® 4s Trenchcoat IGBT Module 1200V910~1800A
Shunlongwei prüfte jeden SEMIX604GB12T4S vor dem Versand, alle SEMIX604GB12T4S mit 6 Monaten Garantie.