#SEMIX604GB12VS Semikron SEMIX604GB12VS Neuer SEMiX® 4s Trench IGBT Module 1200V, 910~1800A, SEMIX604GB12VS Bilder, SEMIX604GB12VS Preis, #SEMIX604GB12VS Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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SEMIX604GB12VS-Funktionen
• Homogenes Si
• Graben = Grabentor Technologie
• VCE (sat) mit positiver Temperatur
Koeffizient
• Hoch kurz Schaltung capability
• UL erkannt, Aktenzeichen. E63532
Typische Anwendungen*
• Wechselrichterantriebe
•UPS
• elektronisch Schweiß-
Maximale Bewertungen und Eigenschaften
Absolute Höchstwerte (Tc = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)
Sammler-Emitter Spannung Vces: 1200V
Gate-Emitter Spannung VGES: ± 20V
Kollektorstrom IC: 880A
Kollektorstrom Icp: 1800A
Verlustleistung des Kollektors Pc: 180W
Sammler-Emitter Spannung VCES: 4000 V
Betriebsübergangstemperatur Tj: + 150 ° C.
Lagertemperatur Tstg: -40 bis + 175 ° C.
Gewicht 400g