#SKD100GAL123D Semikron SKD100GAL123D Neu IGBT Module SKD100GAL123D Eingangsbrücke B6U mit Bremschopper 1200V / 100-200A / 690W, SKD100GAL123D Bilder, SKD100GAL123D Preis, # SKD100GAL123D Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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Eigenschaften
Runde Hauptklemmen (2 mm ∅)
Runde Hauptklemmen (2 mm ∅)
• Einfaches Bohren von pcb
• Eingangsdioden Glas passiviert
• 1400-V-PIV
• Hoch I2
t Bewertung (Einschaltstrom)
• IGBT ist eine verriegelungsfreie, homogene NPT-Siliziumstruktur
• Hohe Kurzschlussfähigkeit,
selbstlimitierend auf 6 * Icnom
• Schnelle und weiche CAL-Dioden8)
• Isolierte Kupfergrundplatte mit
DCB Direct Copper Bonding
• Großer Abstand (9 mm) und
Kriechstrecken (13 mm).
Typische Anwendungen:
Eingangsgleichrichterbrücke (B6U) mit
Bremschopper für PWM-Wechselrichter
fährt mit SEMITRANS
SKM75GD123D
1) Tcase = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben
angegeben 2) IF = - ICVR = 600 V,
- diF / dt = 800 A / us, VGE = 0 V.
3) Verwenden Sie VGEoff = -5… - 15 V.
8) CAL = kontrollierte axiale Lebensdauer
Technologie.
Sperrschichttemperatur Tj 150 ° C.
Lagertemperatur Tstg -40 bis 125 ° C.
Sammler-Emitter Spannung (GE SHORT) VCES 1200 Volt
Gate-Emitter Spannung (CE KURZ) VGES ±20 Volt
Kollektorstrom (Tc = 25 ° C) IC 90 Ampere
Spitzenkollektorstrom (Tj ≤ 150 ° C) ICM 200 Ampere
Spitzenemitterstrom ** IEM 800 * Ampere
Maximale Kollektorableitung (Tc = 25 ° C) Pc 690 Watt
IGBT-Module SKD100GAL123D Eingangsbrücke B6U mit Bremschopper 1200V / 100-200A / 690W
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