Semikron SKiiP32NAB12T1 Auf Lager

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E-Mail: sales@shunlongwei.com

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Schneller Trend IGBTs
Robuste und weiche Freilaufdioden in CAL Technologie Hochzuverlässige Federkontakte für elektrische Verbindungen

Optionen

.auch mit leistungsstarkem Chopper erhältlich. Die Eigenschaften entnehmen Sie bitte dem Wechselrichter IGBT

1) Kühlkörper = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben

2) CAL = Controlled Axial Lifetime Technologie(weiche und schnelle Erholung)

.Für Diagramme des Choppers IGBT Bitte beziehen Sie sich auf SKiiP30NAB12T1

Maximale Bewertungen und Eigenschaften 

Absolute Höchstwerte (Tc = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)

Sammler-Emitter Spannung Vces: 1200V

Gate-Emitter Spannung VGES: ± 20V

Kollektorstrom IC: 65A

Kollektorstrom Icp: 130A

Verlustleistung des Kollektors Pc: 180W

Kollektor-Emitter-Spannung VCES: 2500V

Betriebsübergangstemperatur Tj: + 150 ° C.

Lagertemperatur Tstg: -40 bis + 125 ° C.

Wechselrichter bis 36 kVA Typische Motorleistung 18.5 kW 50 A.