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Nicht empfohlen für neues Design Merkmale: MOS-Eingang (spannungsgesteuert) N-Kanal, homogenes Si Gehäuse mit niedriger Induktivität Sehr geringer Endstrom bei geringer Temperaturabhängigkeit Hohe Kurzschlussfähigkeit, selbstlimitierend auf 6 x I cnom Latch-up-frei Schnelle und weiche inverse CAL Dioden Isolierte Kupfergrundplatte mit DCB Direct Copper Bonding Großer Abstand (10 mm) und Kriechstrecken (20 mm) Typische Anwendungen: Schalten (nicht für lineare Verwendung) Wechselrichterantriebe SKM145GAL123D
SKM145GAL123D Semikron-Leistungsmodule
Shunlongwei prüfte jeden SKM145GAL123D vor dem Versand, alle SKM145GAL123D mit 6 Monaten Garantie.