#SKM150GB063D Semikron SKM150GB063D Neue Semikron POWER IGBT TRANSISTOR, SKM150GB063D Bilder, SKM150GB063D Preis, #SKM150GB063D Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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Superschneller NPT-IGBT Modul|•N-Kanal, homogene Siliziumstruktur (NPT-Non Punch-Through IGBT)|•Niedriger Tail-Strom mit geringer Temperaturabhängigkeit|•Hohe Kurzschlussfähigkeit, selbstbegrenzend, falls vorhanden. G wird an E|•Pos geklemmt. Temp. Koeff. von Vce(sat)|•50 % weniger Abschaltverluste|•30 % weniger Kurzschlussstrom|•Sehr niedrige Cies, Coes, Cres|•Latch-up-frei|•Schnelle und sanfte inverse CAL-Dioden|•Isolierte Kupferverbindung Technologie ohne Hartform|•Große Luft- (10 mm) und Kriechstrecken (20 mm)|Typische Anwendungen:|•Schalten (nicht für linearen Einsatz)|•Schaltnetzteile|•USV|•AC-Inverter-Servoantriebe|•Pulsfrequenzen auch über 10 kHz|•Schweißinverter SKM150GB063D
Konfiguration Halbbrücke
Spannung 600 V
Strom 200 A
Verpackung Semitrane 3
Semikron LEISTUNGS-IGBT-TRANSISTOR
Shunlongwei prüfte jeden SKM150GB063D vor dem Versand, alle SKM150GB063D mit 6 Monaten Garantie.