#SKM152GA123 Semikron SKM152GA123 Neu IGBT: 150A1200V, SKM152GA123 Bilder, SKM152GA123 Preis, #SKM152GA123 Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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SKM152GA123 Beschreibung
SKM152GA123 Leistung Transistor Modulen
Ziel_Anwendungen
Ziel_Anwendungen
SKM 152 GA 123 kann in Leistungsschaltanwendungen verwendet werden
Maximale Bewertungen und Eigenschaften
Absolute Höchstwerte (Tc = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)
Sammler-Emitter Spannung Vces: 1200V
Gate-Emitter Spannung VGES: ± 20V
Kollektorstrom IC: 110A
Kollektorstrom Icp: 220A
Verlustleistung des Kollektors Pc: 830W
Sammler-Emitter Spannung VCES: 2500 V
Betriebsübergangstemperatur Tj: + 150 ° C.
Lagertemperatur Tstg: -40 bis + 125 ° C.
Drehmoment der Befestigungsschraube 3.5 * 1 N · m
Semikron IGBT Modul 150A 1200V