Semikron SKM200GB125D Auf Lager

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SKM200GB125D Merkmale:
.N Kanal, homogenes Si
Fall mit niedriger Induktivität
Kurzer Schwanzstrom mit geringer Temperaturabhängigkeit
Hohe Kurzschlussfähigkeit, selbstlimitierend auf 6 x I cnom
Schnelle und weiche inverse CAL-Dioden
.Isolierte Kupfergrundplatte mit DCB Direct Copper Bonding Technologie
Großes Spiel (13 mm) und Kriechstrecke (20 mm)
Typische Anwendungen:
Schaltnetzteile bei f sw> 20 kHz
.Resonante Wechselrichter bis 100 kHz Induktive Heizung
.elektronisch Schweißer bei f sw > 20 kHz

Maximale Bewertungen und Eigenschaften

Absolute Höchstwerte (Tc = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)

Sammler-Emitter Spannung Vces: 1200V

Gate-Emitter-Spannung VGES: ± 20V

Kollektorstrom IC: 165A

Kollektorstrom Icp: 300A

Kollektor-Emitter-Spannung VCES: 4000V

Betriebsübergangstemperatur Tj: + 150 ° C.

Lagertemperatur Tstg: -40 bis + 125 ° C.

IGBT Array & Modul Transistor Dual N Kanal 200 A 3.3 V 1.2 kV Modul.

Shunlongwei prüfte jeden SKM200GB125D vor dem Versand, alle SKM200GB125D mit 6 Monaten Garantie.