Semikron SKM400GB128D Auf Lager

Update: 23. November 2023 Stichworte:elektronischicIGBTTechnologie

 

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IGBT-Modul; Transistor Typ:IGBT; Transistor Polarität: N-Kanal; Kontinuierlicher Kollektorstrom, IC:565A; Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung, Vce(sat):2V; Verpackung/Koffer:SEMITRANS 3; Kollektor Emitter Spannung, V(br)ceo: 1200 V; RoHS-konform: Ja SKM400GB128D 

Merkmale:
Homogen Ja
.Trench=Trenchgate Technologie
.Vce (sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Hohe Kurzschlussfähigkeit, selbstlimitierend auf 6xIc
Typische Anwendungen
.SC Wechselrichterantriebe
.UPS
.elektronisch Schweißer
Maximale Bewertungen und Eigenschaften 
Absolute Höchstwerte (Tc = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)
Sammler-Emitter Spannung Vces: 1200V
Gate-Emitter-Spannung VGES: ± 20V
Kollektorstrom IC: 400A
Kollektorstrom Icp: 600A
Kollektor-Emitter-Spannung VCES: 4000V
Betriebsübergangstemperatur Tj: + 150 ° C.
Lagertemperatur Tstg: -40 bis + 125 ° C.

 

SEMITRANS 3 - SPT IGBT-Modul

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