#SKM600GB126D Semikron SKM600GB126D Neu IGBT Array & Modul Transistor N-Kanal 660 A 2.15 V 1.2 kV, SKM600GB126D Bilder, SKM600GB126D Preis, #SKM600GB126D Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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SKM600GB126D
Sammler Emitter Spannung V (br) ceo: 1.2 kV
Sammler Emitter Spannung Vces: 2.15V
DC-Kollektorstrom: 660A
Anzahl der Pins: 7
Maximale Betriebstemperatur: 150 ° C
Betriebstemperatur min: -40 ° C.
Verlustleistung Pd: -
SVHC: Kein SVHC
Transistor Gehäusetyp: SEMITRANS 3
Transistor Polarität: N-Kanal
IGBT-Array & -Modul Transistor N-Kanal 660 A 2.15 V 1.2 kV