5. April 2024 – STMicroelectronics hat kürzlich 100-V-Trench-Schottky-Gleichrichterdioden eingeführt, die den Wirkungsgrad von Leistungswandlern steigern, die mit hohen Schaltfrequenzen betrieben werden.
Durch die Erhöhung der Betriebsfrequenz von Leistungswandlern, unterstützt durch die minimalen Schaltverluste von Technologien wie Halbleitern mit großer Bandlücke, können Entwickler neue Maßstäbe in der Leistungsdichte setzen. Bei erhöhten Frequenzen werden jedoch die Energieverluste in herkömmlichen Planardioden, einschließlich Silizium-Schottky-Bauelementen, die als Gleichrichter verwendet werden, zu einem erheblichen Faktor, der die Umwandlungseffizienz begrenzt.
Die Graben-Schottky-Dioden von ST reduzieren die Gleichrichterverluste erheblich und verfügen über hervorragende Durchlassspannungs- und Rückwärtserholungseigenschaften, die eine erhöhte Leistungsdichte bei hohem Wirkungsgrad ermöglichen. Die Durchlassspannung ist je nach Strom- und Temperaturbedingungen 50–100 mV besser als bei vergleichbaren Planardioden. Durch den einfachen Wechsel auf diese Geräte lässt sich die Effizienz um 0.5 % steigern.
Die neue Familie umfasst 28 Varianten mit acht Nennströmen von 1 A bis 15 A, mehreren oberflächenmontierbaren Gehäusen in Industrie- und Automobilqualität. Die industrietauglichen Teile zielen auf Anwendungen wie Miniatur-Schaltnetzteile und Hilfsstromversorgungen für Telekommunikations-, Server- und Smart-Metering-Geräte ab. Zu den typischen Anwendungen im Automobilbereich gehören platzbeschränkte Anwendungen wie LED-Beleuchtung, Verpolungsschutz und Niederspannungs-DC/DC-Wandler. Die Teile sind AEC-Q101-qualifiziert, werden in PPAP-fähigen Anlagen hergestellt und sind für einen Temperaturbereich von -40 °C bis 175 °C ausgelegt.
In Kombination mit den Flyback- und Buck-Boost-Wandlern von ST, wie den VIPer-Controllern und dem Offline-LED-Treiber HVLED001A, erfüllen die 100-V-Trench-Schottky-Gleichrichter die Liste der aktiven Komponenten für Schaltnetzteile. Alle werden im eDesign Suite Rectifier Diodes Simulator von ST unterstützt, der bei der Auswahl der Nennleistung und des Footprints, der Simulation von Wellenformen und der Schätzung der Energieeffizienz hilft.
Die Dioden werden in der Produktion zu 100 % Lawinentests unterzogen, um die Robustheit des Geräts und die Systemzuverlässigkeit sicherzustellen. Sie sind in DPAK- sowie SOD123-Flat-, SOD128-Flat-, SMB-Flat- und PSMC-(TO227A)-Oberflächenmontagegehäusen erhältlich.
Alle Geräte sind jetzt in Produktion. Der Budgetpreis beginnt bei 0.107 $ für den 1A STPST1H100ZF in SMD123 Flat.
Weitere Informationen finden Sie unter www.st.com/100v-trench-schottky.