-----------------------
E-Mail: sales@shunlongwei.com
-----------------------
MG100Q2YS51 Beschreibung
N KANAL IGBT (HIGH PWER SWITCHING; ANWENDUNGEN FÜR DIE MOTORSTEUERUNG);
Sammler-Emitter Spannung VCES: 1200 V.
Gate-Emitter Spannung VGES: ±20 V
Kollektorstrom DC IC (25 ° C / 80 ° C) 150 / 100A
Kollektorstrom 1 ms ICP (25 ° C / 80 ° C) 300 / 200A
Durchlassstrom DC IF: 100A
Durchlassstrom 1 ms IFM 200A
Verlustleistung des Kollektors (Tc = 25 ° C) PC: 660 W.
Sperrschichttemperatur Tj: 150 ° C.
Lagertemperaturbereich Tstg: –40 ~ 125 ° C.
Isolationsspannung VIsol 2500 (AC 1 min.) V.
Schraubendrehmoment (Klemme / Montage) - 3/3 N · m
Gate-Leckstrom IGES VGE = ± 20 V, ± 500 nA
Hochleistungsschaltanwendungen Motorsteuerungsanwendungen 100 A/1200 V/IGBT/ 2U
Shunlongwei inspizierte jeden MG100Q2YS51 vor dem Versand, alle MG100Q2YS51 mit 6 Monaten Garantie.