Toshiba MG150Q2YS50 Auf Lager

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MG150Q2YS50 N-KANAL IGBT (HOCHLEISTUNGSSCHALT-/MOTORSTEUERUNGSANWENDUNGEN), Toshiba

Sammler-Emitter Spannung Vces = 1200 V.

Gate-Emitter-Spannung Vges = ± 20V

Kollektorstrom DC IC= 200 / 150A VCE = 5V

Kollektorstrom 1 ms ICP = 400 / 300A

Durchlassstrom DC IF = 150A

Durchlassstrom 1 ms IFM = 300A

Verlustleistung des Kollektors (Tc = 25 ° C) PC = 1250W

Sperrschichttemperatur Tj = 150 ° C.

Lagertemperaturbereich Tstg = –40 ~ 125 ° C.

Isolationsspannung VIsol = 2500V

Schraubendrehmoment (Klemme / Montage) = 3/3 N · m

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Shunlongwei inspizierte jeden MG150Q2YS50 vor dem Versand, alle MG150Q2YS50 mit 6 Monaten Garantie.