#MG15N6ES42 Toshiba MG15N6ES42 Neue Hochleistungsschaltanwendungen. Motorsteuerungsanwendungen., MG15N6ES42 Bilder, MG15N6ES42 Preis, # MG15N6ES42 Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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MG15N6ES42 Beschreibung
Die Elektroden sind vom Gehäuse isoliert.
.6 IGBTs sind in einem Paket integriert.
.Erweiterungsmodus
Niedrige Sättigung Spannung: VCE-4V
Sammler-Emitter Spannung Vces: 1200V
Gate-Emitter Spannung Vges: ±20 V
Kollektorstrom Gleichstrom / 1 ms (IC/ Icp): 15A-30A
Durchlassstrom DC / 1 ms (If / Ifm): 15A-30A
Kollektor Verlustleistung Pc: 125W
Sperrschichttemperatur Tj: 150°C
Lagertemperaturbereich Tstg:-40-125°C
Isolationsspannung VIso1: 2500V
Serew Drehmoment: 3 Nm
Hochleistungsschaltanwendungen. Motorsteuerungsanwendungen.
Shunlongwei prüfte jeden MG15N6ES42 vor dem Versand, alle MG15N6ES42 mit 6 Monaten Garantie.