Toshiba MG300Q1US11 Auf Lager

#MG300Q1US11 Toshiba MG300Q1US11 Neu IGBT: 300A1200V, MG300Q1US11 Bilder, MG300Q1US11 Preis, #MG300Q1US11 Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com

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MG300Q1US11 Beschreibung

MG300Q1US11, V (ces): 1200 V V (ges): 20 V 2000 W Bipolartransistor mit isoliertem Gate. Für Hochleistungsschalt- und Motorsteuerungsanwendungen

MG300Q1US11 1.03 lbs

Ziel_Anwendungen

MG300Q1US11 kann in Hochleistungsschaltanwendungen für Motorsteuerungsanwendungen verwendet werden

Eigenschaften

BIPOLARER TRANSISTOR MIT ISOLIERTEM GATE
IGBT: 300A1200V