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MG360V1US41 Beschreibung
MG360V1US41 IGBT Power Transistor Modul hat einen Kollektorstrom von 360 Ampere und sein Kollektor-Emitter hat eine starke Spannung von 1700 Volt. Außerdem wiegt es nur 500 Gramm. Dieses Gerät wird von Toshiba hergestellt, einer bekannten Marke in TechnologieSo stellen Sie Qualität und innovative Funktionen sicher. Da es die verwendet IGBT oder bipolar mit isoliertem Gate Transistor Technologie, ist es so konzipiert, dass es sofort von Voll-Ein auf Voll-Aus wechselt. Da es mit hoher Geschwindigkeit arbeitet, minimiert es außerdem die Energieverschwendung und ist somit kostengünstig.
Hohe Leistungsimpedanz, hohe Geschwindigkeit und verbesserter Modus - das sind die erstaunlichen Vorteile, die Sie vom MG360V1US41 erhalten.
MG360V1US41 1.30 lbs
Ziel_Anwendungen
MG360V1US41 kann in Hochleistungsschalt- / Motorsteuerungsanwendungen verwendet werden
Eigenschaften
N Kanal IGBT (Hochleistungsschalt- / Motorsteuerungsanwendungen)
1IGBT: 360A1700V
Shunlongwei inspizierte jeden MG360V1US41 vor dem Versand, alle MG360V1US41 mit 6 Monaten Garantie.