Toshiba MG400Q2YS60A Auf Lager

Update: 16. November 2023 Stichworte:icIGBT

 

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MG400Q2YS60A Beschreibung

MG400Q2YS60A, TRANS-IGBT MODULE N-CH 1200V 400A;

MG400Q2YS60A 0.83 lbs

Ziel_Anwendungen

MG400Q2YS60A kann in Hochleistungsschalt- / Motorsteuerungsanwendungen verwendet werden

Eigenschaften

Hochleistungsschaltanwendungen Motorsteuerungsanwendungen
· Integriert eine komplette Halbbrückenleistung Schaltung und Störmeldeausgang Schaltung in einem Paket. (Kurzschluss und Übertemperatur)
· Die Elektroden sind vom Gehäuse isoliert.
· Niedriger thermischer Widerstand.
· VCE (sat) = 2.4 V (typ.)

Maximale Bewertungen und Eigenschaften 

Absolute Höchstwerte (Tc = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)

Sammler-Emitter Spannung Vces: 1200V

Gate-Emitter Spannung VGES: ± 20V

Kollektorstrom IC: 400A

Kollektorstrom Icp: 800A

Verlustleistung des Kollektors Pc: 3750W

Kollektor-Emitter-Spannung VCES:2500(AC 1 min) V

Betriebsübergangstemperatur Tj: + 150 ° C.

Lagertemperatur Tstg: -40 bis + 125 ° C.

Anzugsdrehmoment der Befestigungsschraube 3(M5) N·m