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MG50Q2YS40 Beschreibung
Kollektor-Emitter-Spannung VCES 1200 V.
Gate-Emitter-Spannung VGES ± 20 V.
Kollektorstrom DC IC 50 A
Kollektorstrom 1 ms ICP 100 A.
Durchlassstrom DC IF 50 A.
Durchlassstrom 1 ms IFM 100 A.
Verlustleistung des Kollektors (Tc = 25 ° C) PC 400 W.
Sperrschichttemperatur Tj 150 ° C.
Lagertemperaturbereich Tstg － 40 ~ 125 ° C.
Isolationsspannung VIsol 2500 (AC 1 Minute) V.
Schraubendrehmoment (Klemme / Montage) 3/3 Nm
Der MG50Q2YS40 verfügt über einzigartige und außergewöhnliche Eigenschaften, die ihn zu einer fortschrittlichen Leistung machen Modulen. Es wiegt 0.45 Pfund und hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 und einen Kollektorstrom von 50 Ampere. Sowohl die Form als auch das Design eignen sich für anspruchsvolle Anwendungen.
MG50Q2YS40 strebt hohe Effizienz, Zuverlässigkeit und Wirtschaftlichkeit an. Mit einer sehr geringen Rückwärtswiederherstellungszeit wird garantiert, dass Schaltreaktionen verhindert werden. Hohe Temperaturen sind bei diesem Gerät ebenfalls kein Problem. Selbst bei einer Temperatur von bis zu 150 ° C können Sie sicher sein, dass es aufgrund seiner hervorragenden Modulkonstruktion intakt bleibt.
Der MG50Q2YS40 verfügt über eine Überstrombegrenzungsfunktion, die dreimal besser ist als der übliche Nennstrom. Durch Minimierung der internen Streuinduktivität wird die Effizienzrate weiter verbessert. Mit erstaunlicher Leistung und hoher Zuverlässigkeit sind Sie von Ihrer lohnenden Investition überzeugt.
IGBT: 50 A, 1200 V.
Shunlongwei inspizierte jeden MG50Q2YS40 vor dem Versand, alle MG50Q2YS40 mit 6 Monaten Garantie.