FET SiC de 650 V y 1.2 kV en D2PAK-7L

Actualización: 21 de mayo de 2021
FET SiC de 650 V y 1.2 kV en D2PAK-7L

“Los FET de SiC D2PAK-7L [tienen] una conexión de fuente Kelvin que mejora el rendimiento de retorno del accionamiento de la puerta”, según la empresa. “Mediante la utilización de la sinterización de plata, se pueden realizar uniones de matrices en PCB convencionales, así como en disposiciones complejas de sustratos metálicos aislados. Además, presentan cifras de fuga y holgura de 6.7 mm y 6.1 mm respectivamente ”.

La 'Calculadora FET-Jet' en línea de la empresa está disponible para realizar comparaciones de rendimiento.

Se prevén aplicaciones en fuentes de alimentación para servidores y telecomunicaciones, fuentes de alimentación y cargadores de baterías industriales, cargadores de a bordo de vehículos eléctricos y convertidores dc-dc.

Las páginas de productos son:

650V

  • UF3C065080B7S
  • UF3C065040B7S
  • UF3SC065030B7S

1.2kV

  • UF3C120150B7S
  • UF3C120080B7S
  • UF3SC120040B7S