Llamado SZ1131, tiene una abrazadera integrada mosfet y un controlador para un fly-back externo mosfet.
Son posibles eficiencias de hasta el 95% en voltajes de entrada de 90 a 265 Vca y cargas variables, según la empresa. La potencia sin carga puede ser tan pequeña como 20 mW, incluso en aplicaciones de USB Power Delivery (USB-PD).
Se pueden entregar 65 W desde una entrada universal y una potencia de salida de 100 W con soporte PFC.
“El SZ1131 proporciona la facilidad de diseño de un controlador de retorno simple con todos los beneficios de un diseño ACF, incluido el reciclaje de la energía de inductancia de fuga del transformador de retorno y la limitación del drenaje FET primario voltaje aumento durante los eventos de desconexión ”, según la empresa. Usando su arquitectura de control digital, “SZ1131 ajusta el modo de operación del dispositivo ciclo por ciclo para mantener una alta eficiencia, baja EMI y una rápida regulación dinámica de la carga”.
Hay disponible un diseño de ejemplo de USB-PD de 65 W totalmente de silicio que alcanza 30 W / pulg.3 (sin carcasa), ~93 % de eficiencia de línea baja (90 V CA) y >94 % de línea alta (230 V CA). Incluye transformador convencional RM8, rectificador síncrono fet 100V, abrazadera condensadory filtro de entrada de estrangulador de modo común único. "Ofrece una eficiencia y densidad de potencia aún mayores cuando se combina con FET primarios de GaN", dijo Silanna.
Suministrado en un paquete SOIC de 16 pines, las protecciones incluyen sobrecalentamiento, sobretensión, sobrecorriente, sobretensión, cortocircuito y saturación del núcleo del transformador sin componentes externos adicionales.
Las piezas se están probando ahora, con la producción completa prevista para el cuarto trimestre de 4.
La página del producto SZ1131 está aquí
silanna SemiconductoresLa sede de está en San Diego.