#ATF36163-TR1G AVAGO ATF36163-TR1G Nuevo efecto de campo de señal pequeña RF Transistor, 1 elemento, banda KU, arseniuro de galio, canal N, FET de alta movilidad de electrones, SIN PLOMO, PLÁSTICO, SC-70, 6 PIN, imágenes ATF36163-TR1G, precio ATF36163-TR1G, # ATF36163-TR1G proveedor
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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Número de parte del fabricante: ATF-36163-TR1G
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: transferido
Fabricante de IHS: AGILENT TECHNOLOGIES INC
Código del paquete de piezas: SC-70
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-G6
Recuento de pines: 6
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.21.00.95
Fabricante: Agilent Technologies Inc.
Rango de riesgo: 5.14
Característica adicional: BAJO RUIDO
Configuración: INDIVIDUAL
Desglose de DS voltaje-Mín: 3 V
Corriente de drenaje máxima (ID): 0.04 A
FET Tecnología: ALTA MOVILIDAD ELECTRÓNICA
Banda de frecuencia más alta: BANDA KU
Código JESD-30: R-PDSO-G6
Código JESD-609: e3
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de elementos: 1
Número de terminales: 6
Modo de funcionamiento: MODO DE AGOTAMIENTO
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía Ambiente-Máx .: 0.18 W
Ganancia de potencia mínima (Gp): 9.4 dB
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: FET RF Small Signal
Montaje en superficie: SÍ
Acabado terminal: TIN
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: DUAL
Horario
Transistor de efecto de campo de señal pequeña RF, 1 elemento, banda KU, arseniuro de galio, canal N, FET de alta movilidad de electrones, SIN PLOMO, PLÁSTICO, SC-70, 6 PIN
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: transferido
Fabricante de IHS: AGILENT TECHNOLOGIES INC
Código del paquete de piezas: SC-70
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-G6
Recuento de pines: 6
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.21.00.95
Fabricante: Agilent Technologies Inc.
Rango de riesgo: 5.14
Característica adicional: BAJO RUIDO
Configuración: INDIVIDUAL
Desglose de DS voltaje-Mín: 3 V
Corriente de drenaje máxima (ID): 0.04 A
FET Tecnología: ALTA MOVILIDAD ELECTRÓNICA
Banda de frecuencia más alta: BANDA KU
Código JESD-30: R-PDSO-G6
Código JESD-609: e3
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de elementos: 1
Número de terminales: 6
Modo de funcionamiento: MODO DE AGOTAMIENTO
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía Ambiente-Máx .: 0.18 W
Ganancia de potencia mínima (Gp): 9.4 dB
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: FET RF Small Signal
Montaje en superficie: SÍ
Acabado terminal: TIN
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: DUAL
Horario
Transistor de efecto de campo de señal pequeña RF, 1 elemento, banda KU, arseniuro de galio, canal N, FET de alta movilidad de electrones, SIN PLOMO, PLÁSTICO, SC-70, 6 PIN