Fichas técnicas: HUF75345G3 / P3 / S3S Fotos del producto: TO-247-3 Módulos de formación del producto Alto voltaje Interruptores para procesamiento de energía Diseño / especificación de PCN: Material de revestimiento 20 / Dec / 2007 Paquete estándar: 30 Categoría: Discreto Semiconductores ProductosFamilia: FETs - SingleSeries: UltraFET ™ Empaque: TubeFET Tipo:mosfet Canal N, función FET de óxido metálico: puerta de nivel lógico voltaje (Vdss):55V Corriente – Drenaje continuo (Id) @ 25° C:75A (Tc)Rds On (Max) @ Id, Vgs:7 mOhm @ 75A, 10VVgs(th) (Max) @ Id:4V @ 250µAGate Charge ( Qg) @ Vgs: 275 nC @ 20 V Capacitancia de entrada (Ciss) @ Vds: 4000 pF @ 25 V Potencia - Máx.: 325 W Tipo de montaje: Agujero pasante Paquete / Caja: TO-247-3 Paquete de dispositivo de suministro: TO-247 Catálogo dinámico: FET de puerta de nivel lógico de canal N #HUF75345G3 Fairchild Semiconductores HUF75345G3 Nueva potencia UltraFET de canal N mosfet 55V, 75A, 7mΩ, 450-TUBE, imágenes HUF75345G3, precio HUF75345G3, proveedor #HUF75345G3
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Email: sales@shunlongwei.com
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Número de pieza del fabricante: HUF75345G3
Nombre de la marca: ON Semiconductores
Código Pbfree: Activo
Fabricante de IHS: ON Semiconductores
Descripción del paquete: MONTAJE DE BRIDA, R-PSFM-T3
Código del paquete del fabricante: 340CK
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.29.00.95
Fabricante: ON Semiconductor
Rango de riesgo: 0.89
Potencia UltraFET de canal N mosfet 55 V, 75 A, 7 mΩ, 450 TUBO
Nombre de la marca: ON Semiconductores
Código Pbfree: Activo
Fabricante de IHS: ON Semiconductores
Descripción del paquete: MONTAJE DE BRIDA, R-PSFM-T3
Código del paquete del fabricante: 340CK
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.29.00.95
Fabricante: ON Semiconductor
Rango de riesgo: 0.89
Potencia UltraFET de canal N mosfet 55 V, 75 A, 7 mΩ, 450 TUBO