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7MBR25NF120 Descripción
Fabricado por Fuji, este IGBT transistor módulo Puede generar una corriente de hasta 80A y un emisor colector. voltaje de 1200V. Además, solo pesa 3.31 libras.
7MBR25NF120 tiene componentes sorprendentes que no se pueden ver en módulos de transistores comunes. Dispone de la parada de campo de trincheras avanzada la tecnología acompañado del diodo EmCon3 para permitir la reducción de las pérdidas de estado. Además, ofrece temperaturas máximas de unión. Con esta característica, la potencia de salida mejora drásticamente y es mucho mejor que la de los modelos típicos.
Peso
7MBR25NF120 5.34 libras
Aplicaciones_objetivo
7MBR25NF120 podría usarse en inversor para Motoe Drive AC y DC Servo Drive Amplifier Fuente de alimentación ininterrumpida
Caracteristicas
Conmutación de alta velocidad voltaje Conduzca el circuito de freno dinámico del puente del diodo del convertidor de la estructura del módulo de baja inductancia
PAQUETE DE 25 IM 1200A 7V
Shunlongwei inspeccionó cada 7MBR25NF120 antes del envío, todos los 7MBR25NF120 con 6 meses de garantía.