HITACHI HZM16NB3TR Disponible

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hzm16nb3tr 1.64 3.85

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Número de parte del fabricante: HZM16NB3TR
Código Rohs: No
Código de ciclo de vida de la pieza: obsoleto
Fabricante Ihs: RENESAS ELECTRONICS CORP
Descripción del paquete: R-PDSO-G3
Recuento de pines: 3
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.10.00.50
Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Rango de riesgo: 5.56
Configuración: INDIVIDUAL
Material del elemento de diodo: SILICIO
Tipo de diodo: DIODO ZENER
Código JESD-30: R-PDSO-G3
Código JESD-609: e0
Número de elementos: 1
Número de terminales: 3
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad: UNIDIRECCIONAL
Disipación de energía-Máx .: 0.2 W
Estado de calificación: no calificado
Referencia voltaje-Nom: 16.72 V
Subcategoría: voltaje Diodos de referencia
Montaje en superficie: SÍ
Tecnología: ZENER
Acabado terminal: PLOMO DE ESTAÑO
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: DUAL
Horario
16.72 V, 0.2 W, SILICIO, UNIDIRECCIONAL voltaje DIODO REGULADOR, MPAK-3