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CM200DY-24H Descripción
CM200DY-24H puede producir una enorme potencia de hasta 1200 V o 200 A con solo 0.88 libras. Tiene módulos donde cada uno contiene dos transistores IGBT individualmente que tienen un diodo de recuperación rápida único y robusto, que elimina los retornos o picos de voltaje que pueden ocurrir durante la carga por inducción. Las interconexiones y componentes de este transistor. módulo están aislados de una placa base disipadora de calor, lo que lo hace menos complejo con una mejor gestión térmica.
CM200DY-24H también tiene baja potencia de accionamiento y bajo VCE (sat). Es apto para operaciones de alta frecuencia que pueden oscilar entre 20 y 25 kHz. Fabricado por Mitsubishi, es de hecho un módulo de transistor flexible de alta calidad que también funciona mejor con aplicaciones como motores de CA y CC, máquinas de soldadura y fuentes de alimentación láser.
CM200DY-24H 0.88 libras
Aplicaciones_objetivo
CM200DY-24H se puede utilizar en control de motores de CA, control de movimiento / servo, UPS, fuentes de alimentación de soldadura
Caracteristicas
MÓDULOS DE TRANSISTOR DE POTENCIA IGBT DE MITSUBISHI CONMUTACIÓN DE ALTA POTENCIA UTILIZAR TIPO AISLADO
IGBT: 200A1200V
Shunlongwei inspeccionó cada CM200DY-24H antes del envío, todos los CM200DY-24H con 6 meses de garantía.