Puede. 11, 2023 /semimedia/ — Nexperia ha lanzado sus primeros FET de GaN de potencia en configuración e-mode (modo de mejora) para baja (100/150 V) y alta (650 V) voltaje aplicaciones Al aumentar su oferta de cascode con siete nuevos dispositivos de modo electrónico, Nexperia ahora brinda a los diseñadores la opción óptima de FET de GaN de un solo proveedor junto con su importante cartera de componentes electrónicos de potencia basados en silicio.
La nueva cartera de Nexperia incluye cinco FET GaN de modo electrónico de 650 V nominales (con valores de RDS (encendido) entre 80 mΩ y 190 mΩ) en paquetes DFN de 5 × 6 mm y DFN de 8 × 8 mm. Mejoran la eficiencia de conversión de energía en aplicaciones de telecomunicaciones/datos de alto voltaje y bajo consumo (<650 V), carga de consumo, solares e industriales. También se pueden utilizar para diseñar motores de CC sin escobillas y unidades de microservidor para lograr precisión con mayor par y más potencia.
Nexperia ahora también ofrece un FET GaN de 100 V (3.2 mΩ) en un paquete WLCSP8 y un dispositivo de 150 V (7 mΩ) en un paquete FCLGA. Estos dispositivos son adecuados para diversas aplicaciones de bajo voltaje (<150 V) y alta potencia para ofrecer, por ejemplo, convertidores CC-CC más eficientes en centros de datos, carga más rápida (movilidad eléctrica y USB-C), transceptores LiDAR más pequeños , amplificadores de audio de clase D de menor ruido y dispositivos de consumo más densos en energía, como teléfonos móviles, computadoras portátiles y consolas de juegos.
Los FET de GaN ofrecen la mayor eficiencia energética con el tamaño de solución más compacto en muchas aplicaciones de conversión de energía, características que reducen sustancialmente la lista de materiales (BOM). Como resultado, los dispositivos de GaN ingresan cada vez más a los principales mercados de electrónica de potencia, incluida la informática de servidores, la automatización industrial, el consumidor y la infraestructura de telecomunicaciones. Los dispositivos basados en GaN ofrecen la capacidad de transición/conmutación más rápida (mayores dv/dt y di/dt) y brindan una eficiencia superior en aplicaciones de conversión de baja y alta potencia. El excelente rendimiento de conmutación de los FET de GaN e-mode de Nexperia se atribuye a los valores muy bajos de Qg y QOSS, mientras que su bajo RDS (activado) permite diseños con mayor eficiencia energética.
Con este lanzamiento, Nexperia ahora ofrece una amplia oferta de productos GaN FET para adaptarse a la amplia gama de aplicaciones de energía que mejor se adaptan a la la tecnología, incluidos dispositivos cascodo para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia, dispositivos de modo electrónico de 650 V para aplicaciones de alto voltaje y baja potencia y dispositivos de modo eléctrico de 100/150 V para aplicaciones de bajo voltaje y alta potencia. Además, los FET GaN e-mode de Nexperia se fabrican en una línea de oblea de 8” para una mayor capacidad y están calificados para aplicaciones industriales de acuerdo con el estándar JEDEC. La expansión de su oferta de dispositivos GaN es un testimonio del compromiso de Nexperia con el silicio de calidad y las tecnologías de banda ancha.
Para mayor información por favor visite: nexperia.com/gan-fets
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