dioteca Semiconductores El FET de modo de mejora de canal P MMFTP3334K, disponible ahora de Mouser, proporciona tiempos de conmutación rápidos, alta corriente de drenaje (máximo 4A) y baja resistencia en estado activo en un paquete SOT-23 (TO-236).
El FET ofrece una fuente de drenaje máxima de 30 V voltaje, disipación de potencia máxima de 1000 mW y carga de compuerta total típica de 5.9 nC en un rango de temperatura de unión de -50 C a +150 C.
Este dispositivo de grado comercial cuenta con puerta protegida contra ESD, alta corriente de drenaje y baja resistencia en estado activo. Tiene material de caja UL 94V-0, estilo de paquete SOT-23 (TO-236). Ofrece nivel de sensibilidad a la humedad 1, tiene calificación AEC-Q101 (solo -AQ) y no contiene plomo, cumple con RoHS y REACH.
Este doble canal P mosfet es ideal para procesamiento de señales, controladores y convertidores de nivel lógico.