Rohm y Ancora Semiconductors desarrollan HEMT de GaN

Actualización: 12 de agosto de 2023

Ancora nació en 2010 como un proyecto de I+D en electrónica de potencia en Delta Electronics y en 2012 se montó un laboratorio para ello.

En 2022, el laboratorio se escindió como un fabless Semiconductores empresa con sede en Taiwán respaldada con 15 millones de dólares por Rohm, Delta, Sino-American Silicon y UPI Semiconductors.

Los dispositivos GNP1070TC-Z y GNP1150TCA-Z desarrollados con Rohm reclaman un rendimiento líder en la industria en términos de RDS (ACTIVADO) ×CISS RDS (ACTIVADO) ×Cnosotros, una cifra de mérito para los HEMT de GaN.

Al mismo tiempo, un elemento de protección ESD incorporado mejora la resistencia a la ruptura electrostática hasta 3.5 kV, lo que lleva a una mayor confiabilidad de la aplicación.

Las características de conmutación de alta velocidad de los GaN HEMT también contribuyen a una mayor miniaturización de los componentes periféricos.

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