Hojas de datos: DTA124GKA / GSA Fotografías del producto: SOT-23-3 Paquete estándar: 3,000 Categoría: Discreto Semiconductores Productos Familia: Transistores (BJT) - Sencillo, Pre-polarizado Serie: -Embalaje: Cinta y carrete (TR)Transistor Tipo: PNP - Pre-BiasedCurrent - Colector (IC) (Máx.): 100 mA Voltaje - Desglose del emisor del colector (Máx.): 50 V Resistencia - Base (R1) (Ohmios): - Resistencia - Base del emisor (R2) (Ohmios): 22 kCC Ganancia de corriente (hFE) (Mín.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5VVce Saturación (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Corriente - Corte del colector (Máx.): 500nA (ICBO) Frecuencia - Transición: 250MHz Potencia - Máx .: 200mW Tipo de montaje: Montaje en superficie Paquete / Caja: TO-236- 3, SC-59, SOT-23-3 Paquete del dispositivo del proveedor: SMT3 Catálogo dinámico: Transistores predispuestos PNP Otros nombres: DTA124GKAT146-NDDTA124GKAT146TR #DTA124GKAT146 Rohm Semiconductores DTA124GKAT146 Nuevo bipolar de señal pequeña Transistor, 0.1AI (C), 50V V (BR) CEO, 1 elemento, PNP, Silicon, SC-59, 3 PIN, imágenes DTA124GKAT146, precio DTA124GKAT146, proveedor # DTA124GKAT146
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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Número de pieza del fabricante: DTA124GKAT146
Código Pbfree: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: no recomendado
Fabricante de IHS: ROHM CO LTD
Código del paquete de piezas: SC-59
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-G3
Recuento de pines: 3
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.21.00.75
Fabricante: ROHM Semiconductor
Rango de riesgo: 7.74
Característica adicional: SESGO INTEGRADO Resistencia
Corriente máxima del colector (IC): 0.1 A
Colector-Emisor voltaje-Máx: 50 V
Configuración: INDIVIDUAL CON RESISTENCIA INTEGRADA
Ganancia mínima de corriente CC (hFE): 56
Código JESD-30: R-PDSO-G3
Código JESD-609: e1
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de elementos: 1
Número de terminales: 3
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): 260
Polaridad / Tipo de canal: PNP
Disipación de energía-Máx. (Abs): 0.2 W
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: Señal pequeña de propósito general BIP
Montaje en superficie: SÍ
Acabado del terminal: COBRE DE PLATA DE ESTAÑO
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: DUAL
Horario
Transistor bipolar de señal pequeña, 0.1AI (C), 50V V (BR) CEO, 1 elemento, PNP, Silicio, SC-59, 3 PIN
Código Pbfree: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: no recomendado
Fabricante de IHS: ROHM CO LTD
Código del paquete de piezas: SC-59
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-G3
Recuento de pines: 3
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.21.00.75
Fabricante: ROHM Semiconductor
Rango de riesgo: 7.74
Característica adicional: SESGO INTEGRADO Resistencia
Corriente máxima del colector (IC): 0.1 A
Colector-Emisor voltaje-Máx: 50 V
Configuración: INDIVIDUAL CON RESISTENCIA INTEGRADA
Ganancia mínima de corriente CC (hFE): 56
Código JESD-30: R-PDSO-G3
Código JESD-609: e1
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de elementos: 1
Número de terminales: 3
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): 260
Polaridad / Tipo de canal: PNP
Disipación de energía-Máx. (Abs): 0.2 W
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: Señal pequeña de propósito general BIP
Montaje en superficie: SÍ
Acabado del terminal: COBRE DE PLATA DE ESTAÑO
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: DUAL
Horario
Transistor bipolar de señal pequeña, 0.1AI (C), 50V V (BR) CEO, 1 elemento, PNP, Silicio, SC-59, 3 PIN