#SKM300GAR063D Semikron SKM300GAR063D Nuevo IGBT módulo doble SKM300GB066D 300A 600V. , Imágenes de SKM300GAR063D, precio de SKM300GAR063D, proveedor #SKM300GAR063D
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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Características SKM300GAR063D:
.N canal, estructura homogénea de silicio (NPT- Sin perforaciones IGBT )
.Baja corriente de cola con dependencia de baja temperatura.
.Alto corto circuito capacidad, autolimitante si es a término. G está sujeto a E
.Pos. temp.-coeff. de V CEsat
.50% menos de pérdidas de apagado
.30% menos corriente de cortocircuito
.Muy bajo C ies, C oes, C res
Diodos CAL inversos rápidos y suaves sin enganche
.Placa de base de cobre aislado con unión directa de cobre DCB la tecnología sin molde duro
.Gran espacio libre (13 mm) y distancias de fuga (20 mm)
Aplicaciones típicas:
.Conmutación (no para uso lineal)
.Fuentes de alimentación de modo conmutado
Servoaccionamientos inverter .AC
.UPS fuentes de alimentación ininterrumpidas
.Inversores de soldadura
1) Tcase = 25 ° C, a menos que de otra manera
especificado
2) SI = - IC, VR = 300 V, –diF / dt = 2000 A / µs, VGE = 0 V
3) Utilice VGEoff = - 5… - 15 V
8) CAL = Vida útil axial controlada Tecnología
9) En comparación con PT-IGBT
Calificaciones y características máximas
.Clasificaciones máximas absolutas (Tc = 25 ° C a menos que no se especifique)
Colector-Emisor voltaje Vces: 600 V
Emisor de puerta voltaje VGES: ± 20 V
Corriente del colector IC: 300A
Corriente de colector Icp: 450A
Disipación de potencia del colector Pc: 1350W
Voltaje colector-emisor VCES: 2500V
Temperatura de unión de funcionamiento Tj: + 150 ° C
Temperatura de almacenamiento Tstg: -40 a + 125 ° C
IGBT módulo dual SKM300GB066D 300A 600V.
Shunlongwei inspeccionó todos los SKM300GAR063D antes del envío, todos los SKM300GAR063D con 6 meses de garantía.