TSD22N80V
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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Número de parte del fabricante: TSD22N80V
Código de ciclo de vida de la pieza: activo
Fabricante IHS: STMICROELECTRONICS
Descripción del paquete: ,
Fabricante: STMicroelectronics
Rango de riesgo: 5.75
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 22 A
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Número de elementos: 1
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Disipación de energía-Máx. (Abs): 400 W
Subcategoría: FET General Purpose Power
Transistor,MOSFET MÓDULO DE ALIMENTACIÓN, INDEPENDIENTE, 800 V V (BR) DSS, 22 A I (D)
Código de ciclo de vida de la pieza: activo
Fabricante IHS: STMICROELECTRONICS
Descripción del paquete: ,
Fabricante: STMicroelectronics
Rango de riesgo: 5.75
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 22 A
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Número de elementos: 1
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Disipación de energía-Máx. (Abs): 400 W
Subcategoría: FET General Purpose Power
Transistor,MOSFET MÓDULO DE ALIMENTACIÓN, INDEPENDIENTE, 800 V V (BR) DSS, 22 A I (D)
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