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GD200HFL120C2S
Descripción general
PODER DE LAS ESTRELLAS IGBT El módulo de alimentación proporciona ultra
baja pérdida de conducción así como corta circuito robustez.
Están diseñados para aplicaciones tales como
inversores en general y SAI.
Caracteristicas
VCE(sat) bajo SPT+ IGBT la tecnología
Capacidad de cortocircuito de 10 μs
VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
Caja de baja inductancia
FWD antiparalelo de recuperación inversa rápida y suave
Placa de base de cobre aislada con tecnología DBC
Aplicaciones típicas
Inversor para accionamiento de motor
Amplificador de servoaccionamiento de CA y CC
Fuente de alimentación ininterrumpida
Calificaciones y características máximas
.Clasificaciones máximas absolutas (Tc = 25 ° C a menos que no se especifique)
Colector-Emisor voltaje Vces: 1200 V
Emisor de puerta voltaje VGES: ± 20 V
Corriente del colector IC: 200A
Corriente de colector Icp: 400A
Disipación de potencia del colector Pc: 1364W
Voltaje colector-emisor VCES: 4000V
Temperatura de unión de funcionamiento Tj: + 150 ° C
Temperatura de almacenamiento Tstg: -40 a + 125 ° C
Par de montaje Tornillo del terminal de alimentación: M6 2.5 a 5.0 Nm
Par de montaje Tornillo del terminal de alimentación: M6 2.5 a 5.0 Nm
Tornillo de montaje: M6 3.0 a 5.0 Nm
Módulo de tipo de moldeo 1200V / 200A 2 en un solo paquete