La serie SLA36385A tiene un tamaño de 5 x 9 mm y una altura de 9.5 mm y, sin embargo, los componentes pueden manejar hasta 230 A. Las inductancias oscilan entre 35 y 470 nH. "El componente de 35 nH puede manejar más de 200 A, con aproximadamente un 20 % de caída", dijo la empresa. La resistencia puede ser tan baja como 125 μΩ y la frecuencia operativa tan alta […]
El paquete, SSO10T, tiene un espacio de 10 μm en lugar de una almohadilla térmica en el lado de la PCB, y alrededor del 95% del calor saldrá por la parte superior, según la compañía, normalmente a la carcasa de la ECU o a una placa fría. Se espera que se utilice con una almohadilla de interfaz térmica para adaptarse a la tolerancia entre PCB y […]
• Permitir y acelerar los avances en la investigación para las generaciones futuras de microelectrónica. • Apoyar, construir y unir la infraestructura de microelectrónica desde la investigación hasta la fabricación. • Aumentar y sostener la fuerza laboral técnica para la investigación y el desarrollo de la microelectrónica hasta el ecosistema de fabricación. • Crear un vibrante ecosistema de innovación en microelectrónica para acelerar el transición de la investigación y el desarrollo a EE. UU. […]
Al reflexionar sobre futuros diseños de sistema en paquete que consumirán alrededor de 1 kW, Intel ha utilizado un proceso finfet cmos de 16 nm para crear un prototipo de convertidor reductor de 52 fases que puede integrarse en dichos circuitos integrados, que reveló en la Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido en San Francisco. El punto de carga CC-CC toma 2 V y puede entregar 200 A (624 A […]
Llamada AONA66916, la resistencia térmica de la unión con las superficies superior e inferior es de 0.5 y 0.55 C/W respectivamente. "El paquete DFN 5×6 con exposición superior comparte el mismo espacio que el paquete DFN 5×6 estándar de AOS, lo que elimina la necesidad de modificar los diseños de PCB existentes", afirmó la empresa. La resistencia de encendido es de 3.4 mΩ, la puerta tiene una clasificación de ±20 V y la temperatura máxima de unión […]
el módulo IGBT Fuji 2MBI200VB-120, una potente solución que presenta: Ideal para diversas aplicaciones, entre ellas: 2MBI200VB-120. Módulos IGBT. MÓDULO IGBT (serie V). 1200V / 200A / 2 en un paquete
El SKM200GAL1200KL de Semikron es un módulo de potencia IGBT de medio puente de alta potencia, diseñado específicamente para diversas aplicaciones como motores industriales, sistemas de energía renovable y aplicaciones de tracción. Incluido en el paquete compacto SEMITRANS 2, este módulo cuenta con dos transistores bipolares de puerta aislada dispuestos en una topología de medio puente. Con un diseño robusto, asegura una tensión máxima colector-emisor de 1200V […]
El DF200AA160 es un módulo de diodo de potencia meticulosamente diseñado para la rectificación trifásica de onda completa. Incorpora seis diodos interconectados en configuración de puente trifásico. En particular, la base de montaje del módulo está aislada eléctricamente de los elementos semiconductores, lo que simplifica el montaje de un disipador de calor. Este módulo versátil puede manejar eficazmente una corriente CC de salida de […]
El MACMIC MMD200S160B es un módulo IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) con ciertas características, aplicaciones y clasificaciones máximas. Aquí hay un desglose de la información proporcionada: Características: Aplicaciones: Clasificaciones y características máximas (a 25 °C a menos que se especifique):