Toshiba MG100N2YS1 Disponible

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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com

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MG100N2YS1 Descripción

IGBT Módulos de transistores de potencia; 100 amperios; 1000 Vol.

MG100N2YS1 0.45 libras

Aplicaciones_objetivo

MG100N2YS1 podría usarse en aplicaciones de control de motores / conmutación de alta potencia

Caracteristicas

Canal N IGBT (Aplicaciones de control de motores / conmutación de alta potencia)
2IGBT: 100A1100V