Toshiba MG150Q2YS11 Disponible

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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/mg150q2ys11.html

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MG150Q2YS11 Descripción

GTR Módulo: IGBT de canal N de silicio; 150 amperios; 1200 voltios

MG150Q2YS11 0.98 libras

Aplicaciones_objetivo

MG150Q2YS11 podría usarse en aplicaciones de control de motores / conmutación de alta potencia

Caracteristicas

IGBT de canal N (aplicaciones de control de motores / conmutación de alta potencia)

 

2IGBT: 150A1200V