#MG200Q1US51 Toshiba MG200Q1US51 Nuevo IGBT: 200A1200V, imágenes MG200Q1US51, precio MG200Q1US51, proveedor # MG200Q1US51
-----------------------
Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
-----------------------
MG200Q1US51 Descripción
IGBT MÓDULO; INTERRUPTOR ÚNICO; MÓDULO TRANS IGBT N-CH 1200V 200A 4(2-109F1A); 200 amperios; 1200 voltios. Aplicaciones de conmutación de alta potencia. Aplicaciones de control de motores.
MG200Q1US51 1.03 libras
Aplicaciones_objetivo
MG200Q1US51 podría usarse en APLICACIONES DE CONTROL DE MOTOR / CONMUTACIÓN DE ALTA POTENCIA
Caracteristicas
Módulo GTR IGBT de canal N de silicio
IGBT: 200A1200V
Shunlongwei inspeccionó todos los MG200Q1US51 antes del envío, todos los MG200Q1US51 con 6 meses de garantía.