Toshiba MG300J1US51 Disponible

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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com

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MG300J1US51 Descripción

MG300J1US51 GTR Módulo Canal N de silicio IGBT; TRANS IGBT MÓDULO N-CH 600V 300A 4(2-109A4A); Módulo IGBT GTR de canal N de silicio para conmutación de alta potencia; aplicaciones de control de motores; 300 amperios; 600 voltios

MG300J1US51 0.95 libras

Aplicaciones_objetivo

MG300J1US51 podría usarse en aplicaciones de control de motores / conmutación de alta potencia

Caracteristicas

IGBT de canal N (aplicaciones de control de motores / conmutación de alta potencia)
IGBT: 300A600V