Toshiba MG30V1BS41 Disponible

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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/mg30v1bs41.html

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MG30V1BS41 Descripción

IGBT POWER Transistor MÓDULO; 30A/1700V/1

MG30V1BS41 1.10 libras

Aplicaciones_objetivo

MG30V1BS41 podría utilizarse en aplicaciones de control de motores / conmutación de alta potencia

Caracteristicas

Módulo GTR: canal N de silicio IGBT
1IGBT: 30A1700V