Toshiba MG50Q1ZS50 Disponible

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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com

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MG50Q1ZS50 Descripción

GTR Módulo Canal N de silicio IGBT; TRANS IGBT MÓDULO N-CH 1200V 78A 5 (2-94D7A)

MG50Q1ZS50 0.45 libras

Aplicaciones_objetivo

MG50Q1ZS50 podría usarse en aplicaciones de control de motores / conmutación de alta potencia

Caracteristicas

IGBT de canal N (aplicaciones de control de motores / conmutación de alta potencia)
1IGBT y 1DIO: 50A1200V