#FB180SA10 Vishay FB180SA10 Nuevo MOSFET Alimentación HEXFET de canal N único de 100 V mosfet SOT-227 (Iso), imágenes FB180SA10, precio FB180SA10, proveedor # FB180SA10
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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FB180SA10
Fabricante: Vishay
Categoria de nuestros producto: MOSFET
Id - Corriente de drenaje continua: 180 A
Vds - Desglose de la fuente de drenaje voltaje: 100 V
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje: 6.5 mOhms
Polaridad del transistor: Canal N
Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente: 20 V
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150C
Pd - Disipación de energía: 480 W
Estilo de montaje: SMD / SMT
Paquete / Estuche: HOY-227-4
Embalaje: Pedidos masivos
Marca: Vishay/Siliconix
Modo de canal: Mejora
Configuración: Fuente dual única
Otoño: 335 ns
Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 C
Hora de levantarse: 351 ns
Tiempo de retardo de apagado típico: 181 ns
Tiempo de retardo de encendido típico: 45 ns
MOSFET 100V de un solo canal N HEXFET MOSFET de potencia SOT-227 (Iso)
Shunlongwei inspeccionó todos los FB180SA10 antes del envío, todos los FB180SA10 con 6 meses de garantía.