Première solution mobile NAND à 176 couches

Mise à jour : 2 juillet 2023

Première solution mobile NAND à 176 couches

micron Technologie a commencé les expéditions en volume de la première solution mobile NAND Universal Flash Storage (UFS) 176 à 3.1 couches au monde.

Destiné aux smartphones haut de gamme, les outils NAND mobiles UFS 3.1 discrets de Micron pour activer le potentiel de la 5G offrant des performances d'écriture séquentielle et de lecture aléatoire jusqu'à 75 % plus rapides que les générations précédentes, permettant le téléchargement de films 4K de deux heures en aussi peu que 9.6 secondes.

La NAND à 176 couches présente une taille de matrice 30 % plus petite que les autres offres concurrentes et est conçue pour les petits facteurs de forme haute capacité requis dans les appareils mobiles.

Ce lancement fait suite à la livraison en volume par Micron de disques SSD PCIe Gen4 avec 176 couches NAND en juin, qui ciblaient les stations de travail professionnelles et les ordinateurs portables ultrafins. Désormais disponible pour les smartphones, la technologie NAND avancée de Micron permettra une expérience mobile plus réactive avec le multitâche entre les applications.

« La 5G offre des vitesses de plusieurs gigabits aux appareils mobiles, et une base matérielle hautes performances est essentielle pour alimenter ces expériences mobiles ultra-rapides », a déclaré Raj Talluri, vice-président senior et directeur général de l'unité commerciale mobile de Micron. "Notre NAND à 176 couches suralimente les smartphones avec des performances inégalées, offrant un contenu multimédia riche au bout des doigts des consommateurs en un éclair."

Selon Micron, la solution UFS 176 à 3.1 couches offre des performances de charge de travail mixtes 15 % plus rapides que sa génération précédente, permettant un lancement d'applications plus rapide et une commutation entre plusieurs applications pour une expérience mobile plus fluide. En conséquence, les utilisateurs pourront profiter des vitesses de la 5G grâce à la puissante combinaison d'UFS 3.1 et de la NAND à 176 couches de Micron.